|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
A novel low-voltage biasing scheme for double gate FBC achieving 5s retention and 10<sup>16</sup> endurance at 85&#x00B0;Cстатья
- Авторы: Lu Z., Collaert N., Aoulaiche M., De Wachter B., De Keersgieter A., Schwarzenbach W., Bonnin O., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Mazure C., Altimime L., Jurczak M.
- Сборник: 2010 International Electron Devices Meeting
- Год издания: 2010
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/iedm.2010.5703347
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович