Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Nanomechanical Response of the Si Lattice to Hydrogen Implantation and Annealing for Layer Splitting
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Gu Diefeng
,
Baumgart Helmut
,
Bourdelle Konstantin K.
,
Celler George K.
,
Elmustafa A.A.
Журнал:
Japanese Journal of Applied Physics
Том:
48
Номер:
10
Год издания:
2009
Издательство:
Institute of Pure and Applied Physics
Местоположение издательства:
Japan
Первая страница:
101202
Последняя страница:
101202
DOI:
10.1143/jjap.48.101202
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович