|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Двумерное моделирование эмиттерного p–n+-перехода кремниевого n–p–n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координатстатья
- Автор: Лагунович Н.Л.
- Журнал: Известия Вузов сер. электроника
- Том: 28
- Номер: 5
- Год издания: 2023
- Первая страница: 621
- Последняя страница: 628
- Номер статьи: 6
- DOI: 10.24151/1561-5405-2023-28-5-621-628
- Аннотация: Повышение степени интеграции микросхем обусловило необходимость моделирования полупроводниковых структур, позволяющего предварительно рассчитать их конструктивно-технологические и электрофизические параметры и уменьшить тем самым количество натурных экспериментов. Часто p-n- переход не только является основной активной частью приборов электронной техники, но и выполняет функции одной из областей приборных структур, например может быть эмиттерным переходом биполярного n-p-n -транзистора. В работе проведен сравнительный анализ результатов двумерного моделирования кремниевого p-n+ -перехода в двух системах координат: прямоугольной (декартовой) и цилиндрической. Для проведения технологического моделирования исследуемой p-n +-структуры и получения ее изображения применена программа TSuprem4, входящая в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Приборное моделирование полученной p-n +-структуры как в декартовой, так и в цилиндрической системах координат осуществлено с помощью программы Medici, также входящей в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Получены значения электрофизических параметров исследуемого p-n +-перехода и построены его пробивные характеристики. Для рассматриваемой структуры разница в значениях конструктивно-технологических параметров при моделировании в двух системах координат составляет от 2,6 до 7,4 %, в значениях электрофизических параметров - от 1,0 до 1,5 %. Полученные различия в результатах вычислений незначительны. Следовательно, исследованную структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна