МОДЕЛИРОВАНИЕ МГД-ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ТЕЧЕНИЕ РАСПЛАВА КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ ЧОХРАЛЬСКОГО

Верезуб, Н.А.; Простомолотов, А.И.

Авторы: Верезуб Н.А., Простомолотов А.И.
Сборник: Материалы V международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов ММMЭК–2023». 23–25 октября 2023 г
Год издания: 2023
Место издания: LCC MAKS Press Москва
Первая страница: 64
Последняя страница: 67
DOI: 10.29003/m3587.mmmsec-2023/64-67
Аннотация: Обсуждается применение вращающегося магнитногополя (ВМП) в технологии выращивания кристаллов полупроводников из расплава методом Чохральского, в том числе рассматриваются и применяются для верификации результатов данной работы известные данные физического моделирования течений электропроводящего раствора KOH в цилиндрическом тигле в ВМП. Рассматривается математическая модель гидродинамических процессов применительно к выращиванию монокристаллов кремния диаметром 100 мм на установке Редмет-30, оснащенной ВМП-магнитом. Приводятся результаты теста расчетного профиля азимутальной скорости с данными измерений в растворе KOH. В виде диаграммы устойчивости обобщаются результаты параметрических исследований устойчивости течений расплава в зависимости от частоты и величины индукции ВМП.
Добавил в систему: Верезуб Наталия Анатольевна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

МОДЕЛИРОВАНИЕ МГД-ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ТЕЧЕНИЕ РАСПЛАВА КРЕМНИЯ В ПРОЦЕССЕ ЧОХРАЛЬСКОГОстатья

Прикрепленные файлы