|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Моделирование и исследование экспериментальных образцов высоковольтного РМОП-транзисторастатья
- Авторы: Дударь Н.Л., Сякерский В.С., Емельянов В.А.
- Журнал: Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук
- Номер: 3
- Год издания: 2008
- Издательство: Издательский дом «Беларуская навука»
- Местоположение издательства: Беларусь
- Первая страница: 90
- Последняя страница: 94
- Аннотация: Расчет технологических параметров областей высоковольтного РМОП-транзистора и режимов формирования этих областей проведен с помощью программы SSuprem4. Исход-ными данными для расчета являлись пробивное напряжение сток-исток транзистора в закрытом состоянии >80 В, пороговое напряжение в открытом состоянии – 0,8─1,8 В, ток стока свыше 0,5 мА в открытом состоянии при напряжении на затворе Vз=5 В. Проведен расчет зависимостей тока стока Ic от напряжения на затворе Vз с учетом разбросов по толщине подзатворного окисла (d=(75±5) нм) и удельного сопротивления эпитаксиальной пленки (ρv =(1,5±0,225) Ом∙см). Сравнительный анализ результатов моделирования с экспериментальными данными показал, что удельное сопротивление эпитаксиальной пленки n-типа 1,5 Ом∙см и толщина подзатворного окисла 75 нм позволяют получить допустимый уровень порогового напряжения исследованного РМОП-транзистора.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна