Влияние добавок индия на кинетику и механизм изотермической объемной кристаллизации стекла As2Se3статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 июля 2024 г.
Аннотация:Выполнен анализ кинетики ступенчатой объемной кристаллизации стеколAsSe1.5In0.01 при температурах 200, 220, 240 и 260°С и AsSe1.5In0.025 при 240°С по дан-ным измерения плотности закаленных материалов с использованием обобщенногоуравнения Колмогорова–Аврами, результатов дифференциального термического иколичественного рентгенофазового анализа и микроскопических наблюдений.Установлено значительное ускорение объемного гетерогенного зарождения пла-стинчатых кристаллов основной фазы As2Se3 первичной микрофазой In2Se3, выде-ляющейся равномерно по всему объему монолитного стекла при изотермическойкристаллизации в интервале 200–260°С. Исследованы параметры удельной электро-проводности и микротвердость закаленных полупроводниковых ситаллов на раз-личных этапах термообработки The analysis of the kinetics of stepwise bulk crystallization of AsSe1.5In0.01 glasses at temperatures of 200, 220, 240, and 260°C and AsSe1.5In0.025 at 240°C has been carried out using the data of density measurements of quenched materials with the use of the generalized Kolmogorov-Avrami equation, the results of differential thermal and quantitative X-ray phase analysis, and microscopic observations. A significant acceleration of volumetric heterogeneous nucleation of plate-like crystals of the main phase As2Se3 by the primary microphase In2Se3, isolated uniformly throughout the volume of monolithic glass at isothermal crystallization in the range of 200-260°C, has been established. The parameters of specific electrical conductivity and microhardness of quenched semiconductor silals at different stages of heat treatment have been investigated