Кинетика и механизм объемной изотермической кристаллизации стекол As2Se3SnX(Х≤0.55

Автор: Школьников Е.В.
Журнал: Неорганические материалы
Том: 53
Номер: 11
Год издания: 2017
Первая страница: 1218
Последняя страница: 1224
DOI: 10.7868/S0002337X17110148
Аннотация: Методами ЯГРС 119Sn, РФА, измерения плотности, микротвердости и электропроводности закален‑ных образцов исследованы кинетика и механизм ступенчатых превращений при объемной изотерми‑ческой кристаллизации полупроводниковых стекол As2Se3Snх (х = 0.26, 0.40, 0.55) в интервале темпе‑ратур 210–310 °С. Установлено, что первичная тонкодисперсная фаза SnSe инициирует гетерогенноезарождение и двумерный рост кристаллов вторичной основной фазы As2Se3.
Добавил в систему: Школьников Евгений Васильевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА