|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Фотолюминесценция тонких пленок ZnO, легированных азотомстатья
- Авторы: Горбатенко Л.С., Черебыло Е.А., Новодворский О.А., Храмова О.Д., Панченко В.Я.
- Сборник: Сборник трудов IX Межвузовской научной школы молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине."
- Год издания: 2008
- Место издания: НИИЯФ МГУ
- Первая страница: 118
- Последняя страница: 122
- Аннотация: The series of the ZnO films samples doped by nitrogen and co-doped by gallium and nitrogen thin have been produced by the pulse laser deposition method. The photoluminescence haracteristics of the ZnO films have researched at the optical continuous excitation (the He-Cd laser). The influence of the ZnO films doping by nitrogen level on the intensity of the films photoluminescence (PL) spectra and the position of PL bandes in the UV region have investigated
- Добавил в систему: Панченко Владислав Яковлевич