|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование свойств металлических контактов на пленках ZnO n-типастатья
- Авторы: Батищев Г.А., Горбатенко Л.С., Мельников Д.Н., Новодворский О.А., Панченко В.Я., Храмова О.Д.
- Сборник: Труды VIII Межвузовской научной школы молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине»
- Год издания: 2007
- Место издания: Московский государственный университет, НИИЯФ МГУ Москва, Россия
- Первая страница: 79
- Последняя страница: 83
- Аннотация: Homoepitaxial ZnO films, doped by gallium, were deposited on monocrystal substrates of silicon by a method pulse laser deposition. The metal films of contacts Al, Au, Cu, Ta, Ti were deposited on substrates of silicon and ZnO films by the same method. By a method of measurement U-I characteristics it is established, that contacts Ta/n-ZnO and Ti/n-ZnO and Au/p-Si are ohmic. For contacts Al and Cu on silicon presence of Shottky barrier was observed.
- Добавил в систему: Панченко Владислав Яковлевич