Silicon Dioxide Thin Films Deposited Using Oxide Targets: Results of Atomistic Simulation

Grigoriev, F.V.; Sulimov, V.B.; Tikhonravov, A.V.

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 апреля 2024 г.

Авторы: Grigoriev F.V., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.
Журнал: Coatings
Том: 14
Год издания: 2024
Издательство: MDPI
Местоположение издательства: Basel, Switzerland
Первая страница: 1
Последняя страница: 9
Номер статьи: 258
DOI: 10.3390/coatings14030258
Аннотация: An atomistic simulation of silicon dioxide thin films deposited using oxide targets isperformed. The influence of the oxide target on the deposition process is taken into account byintroducing O=Si=O molecules into the flow of particles moving from the target to the substrate. The fraction of these molecules varied from 0 to 50%. It was found that the presence of O=Si=O molecules leads to film densification during a normal deposition. With a low-energy deposition, the increase in density was twice as high as with a high-energy deposition. The absolute value of the compressive stress increased with an increasing fraction of O=Si=O molecules in the flow of deposited particles at a normal, high-energy deposition. The influence of O=Si=O molecules on the structure of the glancing angle deposited films depends on the deposition angle.
Добавил в систему: Григорьев Федор Васильевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Silicon Dioxide Thin Films Deposited Using Oxide Targets: Results of Atomistic Simulationстатья

Прикрепленные файлы