|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Моделирование влияния типа эпитаксиальной плёнки на электрические характеристики высоковольтных кремниевых диодовстатья
- Авторы: Лагунович Н.Л., Турцевич А.С., Борздов В.М.
- Журнал: Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук
- Номер: 2
- Год издания: 2015
- Издательство: Издательский дом «Беларуская навука»
- Местоположение издательства: Беларусь
- Первая страница: 98
- Последняя страница: 102
- Аннотация: Приводятся результаты моделирования операций технологического маршрута и электрических характеристик высоковольтного кремниевого диода при изготовлении его в эпитаксиальной пленке трех типов: 17КЭФ2,0 (кремний, легированный фосфором, электронного типа проводимости толщиной d = 17 мкм с удельным электрическим сопротивлением рv = 2,0 Ом .см); 25,0КЭФ6,0 (d = 25,0 мкм, рv = 6,0 Ом .см); 25,0КЭФ20,0 (d = 25,0 мкм, рv = 20,0 Ом .см). Проведен расчет таких конструктивных параметров диодной структуры, как толщина остаточного окисла, поверхностное сопротивление, глубина залегания p-n-перехода. Выполнен сравнительный анализ результатов моделирования указанных параметров с их экспериментальными типовыми значениями. Рассчитаны зависимости значений электрического тока диода от прямого и обратного электрических напряжений, прикладываемых к р-n-переходу прибора, для трех типов эпитаксиальной пленки. Исследовано влияние таких параметров эпитаксиальной пленки, как толщина d и удельное электрическое сопротивление, на конструктивные параметры и электрические характеристики диода.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна