Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Мемристивные свойства конденсаторных структур на основе оксида гафния
тезисы доклада
Авторы:
Швецов Б.С.
,
Мартышов М.Н.
,
Жигунов Д.М.
Сборник:
Российский форум "Микроэлектроника 2023. Школа молодых ученых". Тезисы докладов
Тезисы
Год издания:
2023
Первая страница:
67
Последняя страница:
68
Добавил в систему:
Мартышов Михаил Николаевич