Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Influence of the Semiconductor Doping Level on the Carrier Surface Density in an AlGaN/GaN MODFET Channel
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 июля 2024 г.
Авторы:
Šašić R.
,
Čevizović D.
,
Ramović R.M.
Журнал:
Materials Science Forum
Том:
413
Год издания:
2003
Издательство:
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
Местоположение издательства:
LAUBISRUTISTR 24, STAFA-ZUERICH,SWITZERLAND, CH-8712
Первая страница:
39
Последняя страница:
44
Добавил в систему:
Chevizovich Dalibor Nikola