|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Фотоиндуцированная релаксация проводимости нелегированных пленок a-Si:H после их освещения при температурах выше 140Стезисы доклада
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 7-10 июля 2014 года
- Тезисы
- Год издания: 2014
- Первая страница: 66
- Последняя страница: 68
- Аннотация: В данной работе исследовалась кинетика релаксации темновой проводимости предварительно освещенных при температурах выше 140С пленок a-Si:H в темноте и при подсветке. Получено, что релаксация темновой проводимости в темноте и при подсветке различна. Для обсуждения природы этого различия из кривых релаксации были вычислены временные зависимости скоростей релаксации темновой проводимости. Скорость термической релаксации темновой проводимости определяют скорости термической генерации и релаксации быстрых и медленных дефектов. Предполагаем, что при подсветке термические скорости остаются неизменными, но и к ним добавляются скорости световой генерации и релаксации этих дефектов. Таким образом скорость релаксации при подсветке равна сумме скоростей термической и световой релаксации дефектов. Знаки скоростей процессов генерации и релаксации дефектов различны и зависят от того, увеличивают или уменьшают они величину проводимости пленки. Из анализа скорости термической релаксации следует, что в начальный период релаксации определяющим процессом является релаксация быстрых дефектов (положительный знак скорости вследствие увеличения проводимости), а далее - релаксация медленных дефектов (отрицательный знак скорости вследствие уменьшения проводимости). Временная зависимость скоростей релаксации при подсветке более сложная и ее можно разделить на четыре участка. На начальном участке времени скорость релаксации при подсветке положительна, как и скорость релаксации в темноте, но меньше по величине. Это означает, что знак скорости световой релаксации отрицателен. Следовательно, на этом участке времени наблюдается световая релаксация медленных дефектов. Далее по времени световая релаксация медленных дефектов становится преобладающим процессом. Далее, разница скоростей релаксации в темноте и при подсветке уменьшается в некоторый момент времени эти скорости сравниваются,и наступает баланс скоростей генерации и релаксации медленных дефектов. Это связано с тем, что процесс световой генерации медленных дефектов становится существенным. При большей интенсивности подсветка наблюдается аналогичная зависимость скорости релаксации от времени, однако из-за увеличения интенсивности увеличиваются скорости световых процессов и границы временных участков изменяются. Т.о. в работе установлено наличие процессов фотоиндуцированной релаксации медленных метастабильных дефектов, образованных освещением нелегированной пленки a-Si:H при температурах выше 150С.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна