Температурная перенормировка эффективной массы основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaNстатья Исследовательская статья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Первая страница загруженное.pdf 679,8 КБ 15 августа 2024 [Evgen_105]