|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Fabrication and characterization of chromium based single-electron transistors with evaporated chromium oxide barrier tunnel junctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 сентября 2014 г.
- Авторы: Pashkin Y.A., Pekola J.P., Kuzmin L.S.
- Журнал: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
- Том: 17
- Номер: 4
- Год издания: 1999
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 1413
- Последняя страница: 1416
- DOI: 10.1116/1.590769
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич