Электронное строение NoO2

Тетерин, Ю.А.; Рыжков, М.В.; Путков, А.Е.; Маслаков, К.И.; Тетерин, А.Ю.; Иванов, К.Е.; Калмыков, С.Н.; Петров, В.Г.

Авторы: Тетерин Ю.А., Рыжков М.В., Путков А.Е., Маслаков К.И., Тетерин А.Ю., Иванов К.Е., Калмыков С.Н., Петров В.Г.
Журнал: Журнал структурной химии
Том: 65
Номер: 9
Год издания: 2024
Издательство: Изд-во СО РАН
Местоположение издательства: Новосибирск
Первая страница: 1
Последняя страница: 11
Номер статьи: 132594
DOI: 10.26902/JSC_id132594
Аннотация: Расчет электронного строения NoO2 и спектра РФЭС (рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии) валентных электронов в диапазоне энергий связи от 0 до ~40 эВ выполнен релятивистским методом дискретного варьирования. Наблюдаются значительные эффекты ковалентности в NoO2, обусловленные существенным перекрыванием не только No 6d АО, но и No 6p и No 5f АО с орбиталями кислорода. Построены гистограмма и схема МО, позволяющие понять особенности природы химической связи и структуру спектра РФЭС валентных электронов в NoO2.
Добавил в систему: Маслаков Константин Игоревич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Электронное строение NoO2статья

Прикрепленные файлы