|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Single Event Upset rate determination for 65 nm SRAM bit-cell in LEO radiation environmentsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2017 г.
- Авторы: Muhammad Sajid, Chechenin N.G., Frank Sill Torres, Usman Ali Gulzari, Muhammad Usman Butt, Zhu Ming, Khan E.U.
- Журнал: Microelectronics and Reliability
- Том: 78
- Год издания: 2017
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 11
- Последняя страница: 16
- DOI: 10.1016/j.microrel.2017.07.084
- Добавил в систему: Чеченин Николай Гаврилович