|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
О возможности профилирования дефектов в широкозонных полупроводниках и диэлектриках с помощью катодолюминесценциитезисы доклада
- Авторы: Иешкин А.Е., Татаринцев А.А., Зыкова Е.Ю., Орликовская Н.Г.
- Сборник: Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов IX Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 22–25 октября 2024 г.)
- Тезисы
- Год издания: 2024
- Место издания: Н. Новгород
- Первая страница: 51
- Последняя страница: 51
- Добавил в систему: Иешкин Алексей Евгеньевич