|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследование покрытий на основе оксида гафния с использованием спектрометрии ядерного обратного рассеяниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 декабря 2017 г.
- Авторы: Борисов А.М., Полянский М.Н., Савушкина С.В., Лаптев И.Н., Данькова Т.Е., Ткаченко Н.В., Востриков В.Г., Каменских А.И.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 7
- Год издания: 2017
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 43
- Последняя страница: 48
- DOI: 10.7868/S020735281707006X
- Аннотация: Методом плазменного напыления сверхзвуковой струей в разреженной атмосфере получены однослойные покрытия из оксида гафния и двухслойные покрытия с промежуточным слоем никеля общей толщиной 70 мкм. С целью формирования наноструктурного покрытия использовали сопло с насадком, реализующее веер волн разрежения Прандтля–Майера. Для исследования покрытий использованы методы ядерного обратного рассеяния протонов с энергией 7.6 МэВ, растровой электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа и рентгеновской дифракции. Исследование поверхности и поперечного шлифа покрытий показало, что наряду с деформированными частицами напыляемого порошка размером более 20 мкм покрытие содержит слои и конгломераты наночастиц размером 30–60 нм. Профилирование элементного состава по глубине методом спектрометрии ядерного обратного рассеяния протонов показало наличие переходных слоев на границе раздела между подложкой и слоями покрытия, характеризующих средний размер микрочастиц в покрытии. Сопоставление толщин, определенных двумя методами, позволило оценить общую пористость слоя оксида гафния. По данным рентгеновской дифракции в покрытиях формируются кубическая и моноклинная фазы оксида гафния с высокой долей аморфной составляющей.
- Добавил в систему: Востриков Владимир Геннадьевич