|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Towards understanding the behavior of indigo thin films in organic field-effect transistors: a template effect of the aliphatic hydrocarbon dielectric on the crystal structure and electrical performance of the semiconductorстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 31 октября 2014 г.
- Авторы: Anokhin, Denis; IPCP RAS, Leshanskaya, Lidiya; IPCP RAS, Piryazev, University Alexey; Lomonosov Moscow State, Fundamental Physical and Chemical Engineering Faculty of, Susarova, Diana; IPCP RAS, Dremova, Nadezhda; IPCP RAS, Shcheglov, Evgeniy; IPCP RAS, Ivanov, Dimitriy; Moscow State University, Fundamental Physical and Chemical Engineering Razumov Faculty of, Vladimir; IPCP RAS, Troshin, Pavel; Institute for Problems of Chemical Physics of Russian Academy of Sciences
- Журнал: Chemical Communications
- Год издания: 2014
- Издательство: Royal Society of Chemistry
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 7639
- Последняя страница: 7641
- Аннотация: Here we report a systematic investigation of indigo thin films 10 grown on different dielectric underlayers. It has been revealed that aliphatic hydrocarbon chains serve as template inducing the formation of a new crystal modification of indigo which possesses advanced charge transport properties and affords a dramatic improvement in the electrical 15 performance of organic field-effect transistors.
- Добавил в систему: Щеглов Евгений Владимирович