|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Модель фазовых переходов в тонкой эпитаксиальной пленке сегнетоэлектрика на подложкестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 сентября 2020 г.
- Автор: Павлов С.В.
- Журнал: Нано- и микросистемная техника
- Номер: 3
- Год издания: 2010
- Первая страница: 6
- Последняя страница: 9
- Аннотация: Рассмотрена феноменологическая модель фазовых переходов в тонких пленках сегнетоэлектриков с учетом, как пространственной неоднородности поляризации, так и неоднородности деформации, а также пьезоэлектрических и электрострикцоннных взаимодействий пленки с подложкой. Получены теоретические температурные зависимости спонтанной поляризации, поляризационного профиля и теплоемкости в пленке, а также зависимость температуры фазового перехода от толщины пленки на подложке. Показано, что теоретические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами для тонких пленок титаната бария на подложке из окиси магния.
- Добавил в систему: Павлов Сергей Васильевич