Nonstoichiometry and luminescent properties of ZnSe crystals grown from the melt at high pressures

Tran, K.; Mozhevitina, E.; Khomyakov, A.; Avetisov, R.; Davydov, A.; Chegnov, V.; Antonov, V.; Kobeleva, S.; Zhavoronkov, N.; Avetissov, I.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 сентября 2017 г.

Авторы: Tran Khanh, Elena Mozhevitina, Andrew Khomyakov, Roman Avetisov, Albert Davydov, Vladimir Chegnov, Vladimir Antonov, Svetlana Kobeleva, Nikolai Zhavoronkov, Igor Avetissov
Журнал: Journal of Crystal Growth
Том: 457
Год издания: 2017
Издательство: Elsevier BV
Местоположение издательства: Netherlands
Первая страница: 331
Последняя страница: 336
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.026
Аннотация: ZnSe homogeneity region was studied by direct physico-chemical method in 730–1320K temperaturerange. It was established that the homogeneity region included stoichiometric composition and solidus lines both from Zn- and Se-rich sides demonstrated the retrograde behavior. Comparison of ZnSe nonstoichiometry with ionized defect concentrations at SZnSe–L(Zn)–V equilibrium had let us assert that at the examined conditions the dominant point defects are electrically neutral. Nonstoichiometry analysis of ZnSe crystals grown from melt under high pressure and from vapor by the Markov–Davydov technique showed that there were Se-excess over stoichiometry in melt grown ZnSe and Zn-excess close to stoichiometry in vapor grown crystals.
Добавил в систему: Аветисов Игорь Христофорович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Nonstoichiometry and luminescent properties of ZnSe crystals grown from the melt at high pressuresстатья

Прикрепленные файлы