Аннотация:Композиты SiC-TiB 2 -TiC с матрицей, состоящей из полупроводникового материала (SiC), и
роводящих материалов (TiB 2 -TiC) или их комбинации, были изготовлены методом искрового плазменного спекания (ИПС) при температуре 2000°C в вакууме под давлением 80 МПа в течение 3 мин. Состав и микроструктуру полученных композитов изучали с помощью рентгеновской дифракции и сканирующего электронного микроскопа, оснащенного энергодисперсионным детектором. Были определены прочность на изгиб, твердость по Виккерсу и трещиностойкость полученных образцов. Были предложены различные варианты процесса спекания с различными составами матрицы. Спеченный керамический композит 60 об. % SiC – 25 об. % TiB 2 – 15 об. % TiC (плотность - 99,7 %) показал самые высокие значения прочности и твердости, а также
трещиностойкости.