Аннотация:Использование методов акустоэлектроники и интеграция нанобиосенсоров с
акустическими линиями задержки в рамках планарных технологий дают возможность
создания акустобионаноэлектронных датчиков с повышенной чувствительностью и
селективностью. В работе разработан акустоэлектрический чип-сенсор на основе
монокристаллической пластины ниобата лития толщиной 0.35 мм с системой встречно-
штыревых преобразователей (ВШП) для возбуждения соответствующей акустической
волны, который вставляется в чип-холдер со стандартным разъемом ножевого типа.
Для создания планарной наноструктуры наноэлектронного трансдьюсера
использовалась технология стандартной фотолитографии, различных фоторезистов и
реактивного ионного травления и магнетронного напыления. Область размером 80х80
микрон в центре чипа служила для формирования электронной наноструктуры, которая
является прообразом наноэлектронного трансдьюсера. В полученных наноструктурах
могут быть сформированы нанозазоры для иммобилизации молекул белков-ферментов
и создании селективных молекулярных биосенсоров.