Деградация мощных инжекционных лазеров на основе кватоворазмерной структуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с асимметричным волноводом

Авторы: Коваль О.И., Кудрявцева Е.Д., Ржанов А.Г., Соловьев Г.А.
Сборник: Труды XIV Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах". Секция 1. Метаматериалы, фотонные кристаллы и гетероструктуры
Год издания: 2014
Место издания: М.: МГУ
Первая страница: 3
Последняя страница: 5
Аннотация: Экспериментально изучены мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с квантовой ямой и асимметричным расширенным волноводом. Предложена физическая модель, объясняющая изменение их излучательных характеристик с течением времени наработки.
Добавил в систему: Ржанов Алексей Георгиевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА