Определение параметров 2ДЭГ в светодиодных гетероструктурах с тремя квантовыми ямами InGaN/GaN методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением (THz-TDs)статья Исследовательская статья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст 54289.pdf 2,7 МБ 13 мая 2025 [Evgen_105]