Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Одноэлектронный транзистор на основе одиночных атомов фосфора в кремнии
тезисы доклада
Авторы:
Дагесян С.А.
,
Шорохов В.В.
,
Преснов Д.Е.
,
Солдатов Е.С.
,
Трифонов А.С.
,
Крупенин В.А.
,
Снигирёв О.В.
Сборник:
Тезисы докладов XIII Российской конференция по физике полупроводников, 2 – 6 октября 2017г., Екатеринбург, Россия
Тезисы
Год издания:
2017
Место издания:
ИФМ УрО РАН г. Екатеринбург
Первая страница:
411
Аннотация:
В настоящей работе нами был экспериментально исследован электронный транспорт через одиночные примесные атомы фосфора, внедренные в кристаллическую решётку кремния
Добавил в систему:
Крупенин Владимир Александрович