|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrateстатья
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Galiev G.B., Vasilievskii I.S., Klimov E.A.
- Сборник: Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod
- Год издания: 2012
- Место издания: Nizhny Novgorod
- Первая страница: 199
- Последняя страница: 200
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич