Кинетика формирования и роста эпитаксиальных пленок SrTIO3 на монокристаллических подложках (001) SrTiO3статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 декабря 2017 г.
Аннотация:Целью исследования являлись количественные оценки измерения формирования и роста пленок
оксида SrTiO3 (STO), используя метод дифракция электронов высокой энергии на отражение (ДЭВЭО) in situ, и сравнение полученных результатов с известными моделями роста и теоретическими оценками. Исследована кинетика релаксации и кристаллизации частиц при Импульсном Лазерном Осаждении (ИЛО) из оксидных мишеней на подложки (001)STO, либо на поверхность роста пленки STO при 650–800°C. Использовались типичные для ИЛО частоты осаждения от 0.1 до 10 Hz; морфология поверхности и структура пленок исследовалась ex situ методами АСМ и РСА. Установлено, что время релаксации осажденных частиц находятся в пределах от 2 до 20 с, что многократно превышает или сравнимо со скважностью импульсов. Экспериментально показано, что для температур ≤900°C структурные искажения в эпитаксиальных пленках, в основном, обусловлены большой скоростью осаждения и ограниченной подвижностью частиц на поверхности. Обнаружен эффект структурной релаксации в пленках после завершения осаждения: постоянная времени объемной структурной релаксации имеет величину от ~10 с до ~102 с и более. Полученные кинетические параметры формирования структуры оксида могут быть полезны для развития теории кристаллизации, а также для оптимизации условий эпитаксиального роста оксидных пленок.