|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 апреля 2015 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Vasilievskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 47
- Номер: 7
- Год издания: 2013
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 935
- Последняя страница: 942
- DOI: 10.1134/S1063782613070130
- Аннотация: The influence of the width of the quantum well L and doping on the band structure, scattering, and electron mobility in nanoheterostructures with an isomorphic In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well grown on an InP substrate are investigated. The quantum and transport mobilities of electrons in the dimensionally quantized subbands are determined using Shubnikov-de Haas effect measurements. These mobilities are also calculated for the case of ionized-impurity scattering taking into account intersub-band electron transitions. It is shown that ionized-impurity scattering is the dominant mechanism of electron scattering. At temperatures T < 170 K, persistent photoconductivity is observed, which is explained by the spatial separation of photoexcited charge carriers.
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Sem13.pdf | 278,9 КБ | 22 сентября 2015 [lunin] |