Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Pb1-xSnxTe(In) far-infrared photodetectors: a challenge to doped Si and Ge
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.
Авторы:
Khokhlov D.R.
,
Raines S.N.
,
Watson D.M.
,
Ivanchik I.I.
,
Pipher J.L.
Сборник:
Springer Proceedings in Physics
Серия:
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
Том:
87
Год издания:
2001
Место издания:
Springer
Первая страница:
1791
Последняя страница:
1792
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович