Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ЦЭМИ РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Особенности фотопроводимости наноструктур на основе PbTe(In) в переменных электрических полях
статья
Авторы:
Добровольский А.А.
,
Черничкин В.И.
,
Белогорохов И.А.
,
Дашевский З.М.
,
Касиян В.А.
,
Белогорохов А.И.
,
Рябова Л.И.
,
Хохлов Д.Р.
Журнал:
Материалы Электронной техники
Номер:
4
Год издания:
2009
Первая страница:
47
Последняя страница:
49
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович