Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb1−x−ySnxVyTe

Скипетров, Е.П.; Голованов, А.Н.; Кнотько, А.В.; Слынько, Е.И.; Слынько, В.Е.

Авторы: Скипетров Е.П., Голованов А.Н., Кнотько А.В., Слынько Е.И., Слынько В.Е.
Журнал: Физика и техника полупроводников
Том: 46
Номер: 6
Год издания: 2012
Издательство: Наука
Местоположение издательства: СПб.
Первая страница: 761
Последняя страница: 768
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение олова и ванадия по длине монокристаллических слитков и гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях (4.2 < T < 300 K, B < 0.07 Тл) в твердых растворах Pb1−x−ySnxVyTe (x = 0.05−0.21, y < 0.015). Показано, что все образцы однофазны, а концентрации олова и ванадия экспоненциально увеличиваются от начала к концу слитков. При легировании ванадием обнаружены уменьшение концентрации свободных дырок и переход металл–диэлектрик, связанные с возникновением глубокого примесного уровня ванадия в запрещенной зоне, перераспределением электронов между уровнем и валентной зоной и стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем. Определена скорость движения уровня ванадия относительно дна зоны проводимости и предложена диаграмма перестройки электронной структуры Pb1−x−ySnxVyTe при изменении состава матрицы.
Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ЦЭМИ РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ЦЭМИ РАН

Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb1−x−ySnxVyTeстатья

Прикрепленные файлы