|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников Pb1-x-ySnxVyTeтезисы доклада
- Авторы: Голованов А.Н., Скипетров Е.П.
- Сборник: Материалы Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: Владивосток
- Первая страница: 65
- Последняя страница: 66
- Аннотация: Для определения характера перестройки электронной структуры при изменении состава сплава и под давлением в настоящей работе исследованы гальваномагнитные (T=4.2-300 K, B≤7 Тл) свойства Pb1-x-ySnxVyTe при атмосферном давлении и гидростатическом сжатии до 15 кбар. Установлено, что при увеличении концентрации ванадия происходит уменьшение концентрации дырок и p-n-конверсия типа проводимости. В сильнолегированных образцах уровень Ферми оказывается стабилизированным глубоким уровнем ванадия и на температурных зависимостях удельного сопротивления ρ(1/T) и коэффициента Холла RH(1/T) отчетливо видны активационные участки собственной ионизации, примесной активации и проводимости по примесным состояниям. По наклону активационных участков на зависимостях ρ(1/T) определены энергии активации уровня ванадия и показано, что с ростом x уровень ванадия движется в глубь запрещенной зоны и при высоких концентрациях олова должен попадать в валентную зону. Полученные результаты использованы для определения скорости движения уровня ванадия относительно краев разрешенных зон под давлением.
- Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович