|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Исследования возможности выращивания объемных кристаллов карбида кремния политипа 3С для силовых приборовстатья Научно-популярная статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Булат П.В., Лебедев А.А., Макаров Ю.Н.
- Журнал: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
- Том: 14
- Номер: 3
- Год издания: 2014
- Издательство: Университет ИТМО
- Местоположение издательства: Санкт-Петербург
- Первая страница: 64
- Последняя страница: 69
- Аннотация: Рассмотрена задача создания гетерополитипных приборных структур на карбиде кремния, предназначенных для силовых приборов, не подверженных деградации электрических свойств. Рассмотрено явление политипизма. Приве- дены характеристики различных политипов SiC. Приведены сведения о причинах и следствиях деградации p-n- структур силовых приборов на основе SiC при прохождении большой плотности прямого тока. Показано, что гете- ропереходы между политипами SiС могут обладать бóльшим структурным совершенством, чем гетеропереходы между полупроводниками с различной химической природой. Сделан вывод о перспективности применения гетеро- структур на основе политипа 3С-SiC в приборах современной силовой электроники. Приведен краткий обзор воз- можных методов выращивания монокристаллов 3С-SiC. Предложена принципиальная схема создания гетерополи- типных структур 3С-SiC на базе подложек политипа 6Н-SiC.
- Добавил в систему: Булат Павел Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Issledovanie_vozmozhnosti_vyiraschivaniya_obemnyih_kristall… | 581,4 КБ | 29 апреля 2015 [Kulon] |