|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Повышение быстродействия и радиационной стойкости силовых кремниевых диодов с применением радиационного технологического процессастатья Исследовательская статья
- Авторы: Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Лагов П.Б., Сурма А.М.
- Журнал: Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
- Номер: 1-2
- Год издания: 2006
- Издательство: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов"
- Местоположение издательства: Лыткарино
- Первая страница: 29
- Последняя страница: 37
- Аннотация: Исследована эффективность применения радиационного технологического процесса (РТП) с использованием быстрых электронов для управления электрическими параметрами силовых кремниевых диодов, повышения их быстродействия и радиационной стойкости. Приведены экспериментальные результаты по влиянию режимов операций облучения быстрыми электронами и последующего отжига на импульсно-частотные и статические параметры кремниевых диодных структур. Установлена взаимосвязь изменения электрических параметров с кинетикой накопления и отжига радиационных центров в базовых областях исследуемых p-n-структур в процессе облучения и отжига. Даны рекомендации по оптимальному выбору режимов операций РТП.
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович