|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Получение стехиометрической пленки Bi2Se3 вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Biстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 октября 2018 г.
- Авторы: Когай В.Я., Михеев К.Г., Михеев Г.М.
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 43
- Номер: 15
- Год издания: 2017
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 34
- DOI: 10.21883/pjtf.2017.15.44868.16728
- Аннотация: Впервые показана возможность получения стехиометрической пленки Bi2Se3 вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi. Установлено, что получение стехиометрической пленки Bi2Se3 возможно только при определенном соотношении толщин пленок Se и Bi (dSe/dBi = 3.13). Методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены фазовые превращения, протекающие в гетероструктуре Se(141 nm)/ Bi(45 nm) после вакуумно-термической обработки. Определены температуры фазового перехода, при которых образуются различные кристаллические фазы. Показано, что в гетероструктуре Se(141 nm)/Bi(45 nm), нагретой до 493 K, процесс кристаллизации Bi2Se3 протекает по экспоненциальному закону с характерным временем установления равновесного состояния 20 min.
- Добавил в систему: Михеев Константин Георгиевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | poluchenie_plenki_bi2se3.pdf | 304,2 КБ | 5 февраля 2018 [k.mikheev] |