ИСТИНА

Были получены пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. Проведено облучение пленок a-Si:H фемтосекундными лазерными импульсами в различных условиях. Исследована модификация структуры, вызванная лазерным облучением пленок a-Si:H в различных технологических режимах. При облучении пленок a-Si:H лазерными импульсами различной интенсивности были получены двухфазные пленки (с аморфной и нанокристаллической фазами) с объемной долей кристаллических включений от 0 до 80%. При помощи спектроскопии комбинационного рассеяния света были определены порог и динамика кристаллизации пленок. Продемонстрировано, что увеличение концентрации водорода в структуре исходных пленок и энергии кванта лазерных импульсов увеличивают порог кристаллизации пленок. При варьировании длины волны и плотности энергии лазерных импульсов, а так же подборе геометрии сканирования лазерным пучком по поверхности пленок были выявлены режимы облучения, приводящие к однородной и неоднородной по толщине и поверхности пленок структурных модификаций. Проведено исследование поверхностных наноструктур, сформированных в результате лазерной обработки пленок. Обнаружены образования размером в несколько десятков нанометров, плотность и размер которых возрастают при увеличении длины волны и интенсивности лазерных импульсов. Обнаружено лазерно-индуцированное уменьшение концентрации водорода в структуре пленок гидрогенизированного кремния, обработанных фемтосекундными лазерными импульсами. Продемонстрирована возможность частичного восстановления концентрации водорода в пленках после их отжига в водородной плазме. На основании полученных данных были сделаны предположения о возможных механизмах модификации структуры объема и поверхности пленок a-Si:H под действием фемтосекундных лазерных импульсов.