ИСТИНА

Объектом исследования являются полупроводниковые сплавы Pb1-xSnxTe:In, Pb1-xSnxTe:Ga, Pb1-xGexTe:Cr, Sb2-xCrxTe3, нанокристаллические образцы SnO2 и TiO2, одиночные и двойные гетероструктуры на основе р-GaAs/Al0.5Ga0.5As, а также сверхрешетки со связанными квантовыми ямами и с контролируемым беспорядком. Цель работы - комплексное экспериментальное и теоретическое исследование многокомпонентных полупроводниковых материалов со специальными свойствами и наноструктур на их основе, а также дальнейшее развитие научной школы как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. В процессе работы производились экспериментальные исследования электрических, магнитных и оптических свойств полупроводников и структур, основанные на методологии изучения свойств веществ в экстремальных условиях (в широком интервале температур 1.5 - 300 К, в сильных постоянных до 6 Тл и импульсных до 38 Тл магнитных полях, в статических и переменных электрических полях частотой до 1 МГц), а также теоретические расчеты параметров энергетического спектра, кинетических коэффициентов в слабых и сильных электрических полях. В результате исследований был получен ряд новых фундаментальных результатов, в частности, обнаружен ферромагнетизм в Pb1-xGexTe:Cr и Sb2-xCrxTe3, выяснен механизм задержанной положительной фотопроводимости в двойных гетероструктурах на основе р GaAs/Al0.5Ga0.5As, теоретически показана возможность формирования N- или Z-образных вольт-амперных характеристик в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. Кроме того, получены конкретные рекомендации для практической реализации фотоприемников на основе полупроводниковых материалов группы А4В6, по оптимизации параметров газовых сенсоров на основе SnO2, по совершенствованию солнечных элементов, в которых используется TiO2.