|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
"Изучение механизмов деградации фотоэлектрических слоев и структур на основе a-Si:H и a-SiC:H"отчет
- Авторы: Вавилов В.С., Остробородова В.В., Бонч-Бруевич В.Л., Курова И.Ф., Ормонт Н.Н., Казанский А.Г., Миличевич Е.П., Понарина Е.Н., Мелешко Н.В.
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Подразделение: Физический факультет
- Номер: х/д тема 45/86
- Год выпуска: 1988
- Количество страниц: 130
-
Аннотация:
Исследованы электрические и фотоэлектрические параметры пленок a-Si:H, полученных в различных технологических режимах. Определены условия получения пленок аморфного гидрированного кремния с оптимальными фотоэлектрическими параметрами. Исследованы изменения фотоэлектрических параметров нелегированных, слабо легированных фосфором и бором, а также компенсированных пленок под влиянием освещения. Предположены механизмы этих изменений, определяющие деградацию материала.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна