ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
Настоящий проект направлен на идентификацию и исследование кинетики энергетической щели ("псевдощели") в спектре электронных состояний тонких (150-300 нм) недодопированных ("underdoped") Y-Ba-Cu-O ВТСП пленок. В рамках первого этапа проекта проведена модернизация экспериментальной установки и ее тестирование в экспериментах со сверхтонкими пленками Au и Pt. Разработана феноменологическая модель, описывающая формирование пространственно-неоднородных распределений носителей заряда ("страйп-структур") в купратных плоскостях ВТСП материалов и соответствующей энергетической щели (псевдощели) в спектре их электронных состояний за счет кулоновского и "магнитодипольного" взаимодействй. Проведен расчет зависимости критической температуры фазового перехода Т* от уровня допирования (дефектности). Определены зависимости пространственных характеристик стационарных страйп-структур и ширины псевдощели от температуры Т. Рассчитана фазовая диаграмма Y-Ba-Cu-O на плоскости "Т* - уровень допирования ". Работоспособность разработанной модели проверена по критерию непротиворечивости полученных расчетных зависимостей данным, известным из экспериментов по нейтронному рассеянию, angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) и др. Проведена апробация двух расчетных схем (использование вариационных принципов и квантовомеханического метода Монте-Карло) для нескольких типов нелинейных членов, описывающих нелокальное взаимодействие носителей зарядов