ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ЦЭМИ РАН |
||
В рамках проекта методами когерентной четырехфотонной пикосекундной спектроскопии (метод бигармонической накачки, длительность импульсов 20 пс) проводится исследование зависимости скорости перехода электронной подсистемы ВТСП образца из сверхпроводящей фазы в резистивную и обратно от ширины спектра (меняется в диапазоне 1 - 200 1/см) дополнительного пикосекундного (20 пс) импульса накачки. Генерация пикосекундных импульсов с управляемой шириной спектра осуществляется в лазере на растворе органического красителя ФН-70 со сверхтонким (менее 3 мм) неселективным резонатором. Апробация разработанной для реализации проекта экспериментальной установки проведена на сверхтонких (толщина до 10 нм) металлических ферромагнитных пленках (Ni). Проведено компьютерное моделирование результатов выполненных экспериментов с учетом реальной зонной структуры Ni, ее квантово-размерной перенормировки, спинового расщепления, основных механизмов внутри- и межзонной релаксации, правил отбора для электронных переходов. Для объяснения известных из литературы данных о существовании в ВТСП т.н. "stripe" структур проведен теоретический анализ возможности формирования в плоскостях Cu-O некоторых новых типов устойчивых пространственно локализованных (солитоны) и периодических (кноидальные волны) нелинейных волн электронной плотности свободных зарядов