Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Shvanskii E.V.
Shvanskii E.V.
IstinaResearcherID (IRID): 1089888
Статьи в журналах Тезисы докладов
–

Статьи в журналах

    • 1999 High-temperature crystallization and X-Ray characterization of Y2SiO5, Y2Si2O7 and LaBSiO5
    • Leonyuk N.I., Belokoneva E.L., Shvanskii E.V., Henrykhson R.V., Kulman N.V., Kozhbakhteeva D.E., Bocelli G., Righi L.
    • в журнале Journal of Crystal Growth, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 205, № 3, с. 361-367 DOI

Тезисы докладов

    • 1997 Czochralski Growth, Chemical Analysis and Refinement of Structure of Cr:Y2SiO5 Single Crystals
    • Leonyuk N.I., Henrikhson V.R., Belokoneva E.L., Maltsev V.V., Shvanskii E.V.
    • в сборнике Abstr. Book of The 15th Conference on Crystal Growth and Epitaxy, место издания California, USA, тезисы, с. 78

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь