Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Veretenkin E.P.
Veretenkin E.P.
IstinaResearcherID (IRID): 12394133
–

Доклады на научных конференциях

    • 2002 A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurements (Устный)
    • Авторы: Kozlova J.P., Eremin V.K., Gavrin V.N., Koshelev O.G., Markov A.V., Morozova V.A., Poljakov A.J., Verbitskaja E.M., Veretenkin E.P., Bowles T.J.
    •  9th EUROPEAN SYMPOIUM ON SEMICONDUCTOR DETECTORS, Schloss Elmau, Германия, , Германия, 23-27 июня 2002

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь