Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Skomski Daniel
Skomski Daniel
IstinaResearcherID (IRID): 142392890
–

Статьи в журналах

    • 2015 Two- and Three-Electron Oxidation of Single-Site Vanadium Centers at Surfaces by Ligand Design
    • Skomski Daniel, Tempas Christopher D., Cook Brian J., Polezhaev Alexander V., Smith Kevin A., Caulton Kenneth G., Tait Steven L.
    • в журнале Journal of the American Chemical Society, издательство American Chemical Society (United States), том 137, № 24, с. 7898-7902

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь