Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Fauchet P.M.
Fauchet P.M.
IstinaResearcherID (IRID): 1839815
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2001 Resonant tunneling in partially disordered silicon nanostructures
    • Tsybeskov L., Grom G.F., Krishnan R., Montes L., Fauchet P.M., Kovalev D., Diener J., Timoshenko V., Koch F., McCaffrey J.P., Baribeau J.M., Sproule G.I., Lockwood D.J., Niquet Y.M., Delerue C., Allan G.
    • в журнале Europhysics Letters, издательство EDP Sciences (France), том 55, № 4, с. 552-558 DOI

Статьи в сборниках

    • 2003 Tunneling conductivity in thermally oxidized porous silicon
    • Yarkin D.G., Balagurov L.A., Orlov A.F., Zvyagin I.P., Gregorkiewicz T., Elliman R.G., Fauchet P.M., Hutchby J.A.
    • в сборнике Optoelectronics of Group-IV-Based Materials, серия MRS Proceedings, том 770, с. 37-42

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь