Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Шаронова Л.В.
Шаронова Л.В.
IstinaResearcherID (IRID): 18595220
–

Доклады на научных конференциях

    • 1982 Гетероэпитаксиальный рост твердых растворов (Si2)х(GaP)1-X^ выращенных в изотермических условиях из жидкой фазы (Устный)
    • Авторы: Бойко М.Е., Карлина Л.Б., Шмарцев Ю.В., Шаронова Л.В.
    • 11Всесоюзной конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах , , Одесса, Украина, 2-5 июня 1982
    • 1981 Физические явления в гетероэпитаксиальных структурах Si-GaP (Устный)
    • Авторы: Бойко М.Е., Карлина Л.Б., Леонов Е.И., Шмарцев Ю.В., Шаронова Л.В.
    • Всесоюзная. конф. по физике соединений А3В5 . Новосибирск 1981 , Новосибирск , Россия, 10-15 сентября 1981
    • 1981 Свойства пленок GaP, выращенных на Si подложках , методом изотермической жидкостной эпитаксии (Устный)
    • Авторы: Бойко М.Е., Карлина Л.Б., Шмарцев Ю.В., Шаронова Л.В.
    • Всесоюз. конф по технологии тонких пленок , Ивано-Франковск. 1981, Ивано-Франковск, Украина, 6-9 мая 1981

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь