Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Absil P.A.
Absil P.A.
IstinaResearcherID (IRID): 26110353
Статьи в журналах Статьи в сборниках
–

Статьи в журналах

    • 2014 Low-rank retractions: a survey and new results
    • Absil P.A., Oseledets I.V.
    • в журнале Computational Optimization and Applications, издательство Springer Nature (Switzerland) DOI

Статьи в сборниках

    • 2014 Highly uniform and low-loss passive silicon photonics devices using a 300mm CMOS platform
    • Selvaraja Shankar Kumar, De Heyn Peter, Winroth Gustaf, Ong Patrick, Lepage Guy, Cailler Celine, Rigny Arnaud, Bourdelle Konstantin K., Bogaerts Wim, Van Thourhout Dries, Van Campenhout Joris, Absil Philippe
    • в сборнике Optical Fiber Communication Conference, издательство ICAF (Washington, D.C., United States) DOI
    • 2011 On the origin of the mobility reduction in bulk-Si, UTBOX-FDSOI and SiGe devices with ultrathin-EOT dielectrics
    • Ragnarsson L.A., Mitard J., Kauerauf T., De Keersgieter A., Schram T., Rohr E., Collaert N., Jurczak M., Hong S.H., Tseng J., Wang W.E., Trojman L., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Absil P., Hoffmann T.Y.
    • в сборнике Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, место издания IEEE DOI

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь