Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Meskers Stefan C.J.
Meskers Stefan C.J.
IstinaResearcherID (IRID): 3145695
–

Статьи в журналах

    • 2012 Solution-Processable Septithiophene Monolayer Transistor
    • Defaux Matthieu, Gholamrezaie Fatemeh, Wang Jingbo, Kreyes Andreas, Ziener Ulrich, Anokhin Denis V., Ivanov Dimitri A., Moser Armin, Neuhold Alfred, Salzmann Ingo, Resel Roland, de Leeuw Dago M., Meskers Stefan C.J., Moeller Martin, Mourran Ahmed
    • в журнале Advanced Materials, издательство Wiley - VCH Verlag GmbH & CO. KGaA (Germany), том 24, № 7, с. 973-+ DOI

ИСТИНА ЦЭМИ РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь